Yb:YAG–1030 Нм лазерлік кристалды перспективалы лазерлік белсенді материал
Өнім Сипаттамасы
Yb:YAG кристалы жоғары қуатты диодпен айдалатын лазерлер және басқа әлеуетті қолданбалар үшін Nd:YAG кристалын алмастырады деп күтілуде.
Yb:YAG жоғары қуатты лазерлік материал ретінде үлкен уәде береді.Өнеркәсіптік лазерлер саласында металды кесу және дәнекерлеу сияқты бірнеше қосымшалар әзірленуде.Жоғары сапалы Yb:YAG қазір қол жетімді, қосымша өрістер мен қолданбалар зерттелуде.
Yb:YAG Crystal артықшылықтары
● Өте төмен фракциялық қыздыру, 11%-дан аз
● Өте жоғары көлбеу тиімділігі
● Кең сіңіру жолақтары, шамамен 8нм@940нм
● Қозған күйді сіңіру немесе жоғары түрлендіру жоқ
● 940 нм (немесе 970 нм) сенімді InGaAs диодтары арқылы ыңғайлы айдалады.
● Жоғары жылу өткізгіштік және үлкен механикалық беріктік
● Жоғары оптикалық сапа
Қолданбалар
Кең сорғы диапазоны және тамаша сәуле шығару қимасы бар Yb:YAG диодты айдау үшін тамаша кристал болып табылады.
Жоғары шығыс қуаты 1,029 1мм
Диодты айдауға арналған лазерлік материал
Материалдарды өңдеу, дәнекерлеу және кесу
Негізгі қасиеттер
| Химиялық формула | Y3Al5O12:Yb (0,1% - 15% Yb) |
| Кристалл құрылымы | Текше |
| Шығыс толқын ұзындығы | 1,029 мм |
| Лазерлік әрекет | 3 деңгейлі лазер |
| Шығарылу мерзімі | 951 АҚШ |
| Сыну көрсеткіші | 1,8 @ 632 нм |
| Абсорбция жолақтары | 930 нм-ден 945 нм-ге дейін |
| Сорғы толқын ұзындығы | 940 нм |
| Сорғы толқын ұзындығы туралы абсорбция жолағы | 10 нм |
| Еру нүктесі | 1970°C |
| Тығыздығы | 4,56 г/см3 |
| Mohs қаттылығы | 8.5 |
| Тор тұрақтылары | 12.01Ä |
| Жылулық кеңею коэффициенті | 7,8x10-6 /K , [111], 0-250°C |
| Жылу өткізгіштік | 14 Втс /м /К @ 20°C |
Техникалық параметрлер
| Өнім атауы | Yb:YAG |
| Бағдарлау | 5° ішінде |
| Диаметрі | 3 мм-ден 10 мм-ге дейін |
| Диаметрге төзімділік | +0,0 мм/- 0,05 мм |
| Ұзындығы | 30 мм-ден 150 мм-ге дейін |
| Ұзындыққа төзімділік | ± 0,75 мм |
| Соңғы беттердің перпендикулярлығы | 5 доғалы минут |
| Соңғы беттердің параллелдігі | 10 доғалы секунд |
| Жазық | Максималды толқын 0,1 |
| 5X кезінде бетті өңдеу | 20-10 (тырнау және қазу) |
| Бөшкенің аяқталуы | 400 грит |
| Соңғы бет қиғаш | 45° бұрышта 0,075 мм-ден 0,12 мм-ге дейін |
| Чипсы | Штанганың шеткі жағында чиптерге жол берілмейді;Ең көп ұзындығы 0,3 мм болатын чиптің қиғаш және бөшке беттерінің аймағында жатуға рұқсат етіледі. |
| Таза диафрагма | Орталық 95% |
| Жабындар | Стандартты жабын AR 1,029 um, R<0,25% әрбір бет.Басқа жабындар қол жетімді. |
