AgGaSe2 кристалдары — жолақ жиектері 0,73 және 18 мкм
Өнім Сипаттамасы
Ho:YLF лазерімен 2,05 мкм-де айдау кезінде 2,5–12 мкм аралығында баптау алынды;сондай-ақ 1,4–1,55 мкм айдау кезінде 1,9–5,5 мкм шегінде маңызды емес фазаларды сәйкестендіру (NCPM) жұмысы.AgGaSe2 (AgGaSe) инфрақызыл СО2 лазерлерінің сәулеленуі үшін жиілікті екі еселендіретін тиімді кристалл екені көрсетілді.
Фемтосекунд және пикосекунд режимінде сатылатын синхронды айдалатын оптикалық параметрлік осцилляторлармен (SPOPO) үйлесімде жұмыс істей отырып, AgGaSe2 кристалдары орташа IR аймағында сызықты емес параметрлік төмен түрлендіруде (айырма жиілігін генерациялау, DGF) тиімді екенін көрсетті.Орташа IR сызықты емес AgGaSe2 кристалы коммерциялық қол жетімді кристалдар арасында ең үлкен еңбек көрсеткіштерінің біріне (70 pm2/V2) ие, бұл AGS эквивалентінен алты есе көп.AgGaSe2 бірқатар нақты себептерге байланысты басқа орта инфрақызыл кристалдарға қарағанда жақсырақ.Мысалы, AgGaSe2 кеңістігінде азырақ жүреді және үлкен сызықтық емес және эквивалентті мөлдірлік аймағына ие болғанымен, нақты қолданбалар үшін өңдеуге оңай емес (мысалы, өсу және кесу бағыты).
Қолданбалар
● СО және СО2 – лазерлердегі екінші гармоникаларды генерациялау
● Оптикалық параметрлік осцилатор
● 17 мкм дейінгі орташа инфрақызыл аймақтарға дейін әртүрлі жиілік генераторы.
● Орташа ИК аймағында жиілікті араластыру
Негізгі қасиеттер
| Кристалл құрылымы | Тетрагональды |
| Ұяшық параметрлері | a=5,992 Å, c=10,886 Å |
| Еру нүктесі | 851 °C |
| Тығыздығы | 5,700 г/см3 |
| Mohs қаттылығы | 3-3,5 |
| Абсорбция коэффициенті | <0,05 см-1 @ 1,064 мкм <0,02 см-1 @ 10,6 мкм |
| Салыстырмалы диэлектрик тұрақтысы @ 25 МГц | ε11s=10,5 ε11t=12,0 |
| Термиялық кеңею Коэффицент | ||C: -8,1 x 10-6 /°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| Жылу өткізгіштік | 1,0 Вт/М/°C |
