Co2+: MgAl2O4 Қаныққан абсорбер пассивті Q-қосқышына арналған жаңа материал
Өнім Сипаттамасы
3,5 x 10-19 см2 жоғары сіңіру қимасы флэш-шаммен де, диод-лазерлік айдаумен де фокустаусыз Er:әйнек лазерінің Q-қосылуына мүмкіндік береді.Қоздырғыш күйдегі елеусіз жұтылу Q-қосқышының жоғары контрастына әкеледі, яғни бастапқы (кіші сигнал) қаныққан абсорбцияға қатынасы 10-нан жоғары. Соңында, кристалдың тамаша оптикалық, механикалық және жылулық қасиеттері ықшам дизайн жасауға мүмкіндік береді. және осы пассивті Q-қосқышы бар сенімді лазер көздері.
Электроптикалық Q коммутаторларының орнына жоғары қуатты лазерлік импульстарды жасау үшін пассивті Q-қосқыштар немесе қаныққан абсорберлер пайдаланылған кезде құрылғының өлшемі кішірейеді және жоғары вольтты қуат көзі жойылады.Шпинель деп аталатын күшті, берік кристалды жақсы жылтыратады.Қосымша зарядты өтеу иондары болмаса, кобальт шпинельдегі магнийді оңай алмастыра алады.Жарқыл шамы мен диодты лазерді айдау үшін Er:glass лазерінің жоғары сіңіру қимасы (3,510-19 см2) қуыс ішілік фокустаусыз Q-қосылуына мүмкіндік береді.
Орташа шығыс қуаты 580 мВт, импульстік ені 42 нс төмен және сорғының жұтылған қуаты 11,7 Вт болады. Бір Q-қосқыш импульстің энергиясы шамамен 14,5 Дж, ал ең жоғары қуат 346 Вт болды. шамамен 40 кГц қайталау жиілігінде.Сондай-ақ Co2+: LMA пассивті Q ауысу әрекетінің бірнеше поляризация күйлері зерттелді.
Негізгі қасиеттер
| Формула | Co2+:MgAl2O4 |
| Кристалл құрылымы | Текше |
| Бағдарлау | |
| Беткейлер | жалпақ / жалпақ |
| Бетінің сапасы | 10-5 SD |
| Бетінің тегістігі | <ʎ/10 @ 632,8 нм |
| AR жабындарының шағылысуы | <0,2 % @ 1540 нм |
| Зақымдану шегі | >500 МВт/см 2 |
| Диаметрі | типтік: 5–10 мм |
| Өлшемдік төзімділіктер | +0/-0,1 мм |
| Берілу | типтік:0,70,0,80,0,90@1533нм |
| Абсорбцияның көлденең қимасы | 3,5×10^-19 см2 @ 1540 нм |
| Параллельдік қате | <10 доғасек |
| Перпендикулярлық | <10 arcmin |
| Қорғаныс фасасы | <0,1 мм x 45 ° |
